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数量:13 |
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规格书 |
IP(D,F,S,U)105N03L G |
文档 |
Multiple Devices 19/Mar/2010 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 35A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 10.5 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 14nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1500pF @ 15V |
功率 - 最大 | 38W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
包装材料 | Tube |
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